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WSD30L88DN56
1个P沟道 耐压:30V 电流:49A
- 描述
- WSD30L88DN56 是一款高性能沟槽式双 P 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L88DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD30L88DN56
- 商品编号
- C3825103
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 49A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.135nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 68V、80A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 8.6 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理
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