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WSD30L88DN56实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

WSD30L88DN56

1个P沟道 耐压:30V 电流:49A

描述
WSD30L88DN56 是一款高性能沟槽式双 P 沟道 MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WSD30L88DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,100%通过 EAS 认证,具备全面的功能可靠性。
品牌名称
WINSOK(微硕)
商品型号
WSD30L88DN56
商品编号
C3825103
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.14克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)49A
导通电阻(RDS(on))20mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)40W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)2.135nF
反向传输电容(Crss)255pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 超低栅极电荷
  • 出色的CdV/dt效应抑制
  • 100%保证抗雪崩能力(EAS)
  • 提供绿色环保器件

应用领域

  • 用于移动主板(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人电脑(UMPC)、显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
  • 网络直流-直流电源系统
  • 负载开关

数据手册PDF