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WSP4067C
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:5.8A
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- 描述
- WSP4067C是高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4067C符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP4067C
- 商品编号
- C3825097
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 87pF |
商品特性
- 30V、90A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 4.5 mΩ
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 9.5 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关
- PWM应用
- 电源管理