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WSP08N15
1个N沟道 耐压:150V 电流:8A
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- 描述
- WSP08N15是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF05N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSP08N15
- 商品编号
- C3825100
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
WSF7N40 是 N 沟道增强型 VDMOSFET，采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。
商品特性
~~- 先进的高单元密度沟槽技术-超低栅极电荷-出色的 Cdv/dt 效应抑制-有环保型器件可供选择
应用领域
- 不间断电源 (UPS)
- 功率因数校正 (PFC)