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WSF70N10D
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- WSF70N10D采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性，适用于……
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSF70N10D
- 商品编号
- C3825101
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.36克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 56.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28.9nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.999nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 322pF |
商品概述
ME4920是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用。
商品特性
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) ≤ 35 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) ≤ 45 mΩ
- 超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
- 笔记本电脑电源管理
- 便携式设备
- 电池供电系统
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器