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WSD6036DN33
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- WsD6036DN33是一款高性能沟槽式N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WsD6036DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证无铅。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD6036DN33
- 商品编号
- C3825102
- 商品封装
- DFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.056克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面VDMOS技术制造。由此生产出的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻RDS(on)
- 低栅极电荷（典型值Qg = 12 nC）
- 100%进行非钳位电感开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正
- 开关模式电源
- LED驱动器
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