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WSD6060DN56
1个N沟道 耐压:60V 电流:65A
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- 描述
- WSD6060DN56 是一款高性能沟槽型 N 沟道 MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD6060DN56 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，通过完整功能可靠性认证，100% 保证无电迁移失效（EAS）。
- 品牌名称
- WINSOK(微硕)
- 商品型号
- WSD6060DN56
- 商品编号
- C3825098
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.34nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
DMN61D8LVTQ为汽车应用中切换继电器、螺线管和小型直流电机等感性负载提供了单组件解决方案，无需续流二极管。DMN61D8LVTQ可接受逻辑电平输入，因此可由逻辑门、反相器和微控制器驱动。它非常适合用于车门、车窗和天线继电器线圈。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 超低栅极电荷
- 出色的CdV/dt效应抑制
- 100%保证抗雪崩能力(EAS)
- 提供绿色环保器件
应用领域
- 用于移动主板(MB)、笔记本电脑(NB)、超便携个人计算机(UMPC)和显卡(VGA)的高频负载点同步降压转换器
- 快速开关
- 负载开关