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G2021Q

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: G2021Q
商品编号: C41414474
商品封装: DFN-8-EP(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.0445克(g)

商品参数

商品概述

G2021Q是一组高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V，该浮动通道需要额外的自举电路支持。另外，G2021Q的高侧与低侧均包含有欠压保护功能。采用DFN8封装，可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

商品特性

自举工作的浮地通道最高工作电压为 +250V
兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压从6V到20V
集成欠压锁定电路：
- VCC欠压锁定正向阈值5.5V
- VCC欠压锁定负向阈值5V
- VBS欠压锁定阈值3.6V
防直通死区逻辑，死区时间设定200ns
芯片传输延时特性：
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns
- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围 -40°C ~ 125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
DFN8封装

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	9V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	160uA