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NSG20652Q
集成自举的三相栅极驱动芯片
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- 描述
- 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、SD功能
- 品牌名称
- WXNSIC(国硅集成)
- 商品型号
- NSG20652Q
- 商品编号
- C41414479
- 商品封装
- QFN-24-EP(4x4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179581克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | 1.5A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 300uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
该器件是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，能够同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。其浮动通道驱动设计可承受高达250V的总线电压。该器件输出具备较强的驱动能力，拉电流和灌电流分别可达1A和1.4A。关断输入为低电平时，可同时关断高侧和低侧输出。内部的防直通和死区电路能防止两个晶体管同时导通，从而进一步降低开关损耗。其欠压锁定功能确保在供电电压较低时，两个驱动器输出均为低电平。该器件集成了自举二极管，可最大程度优化芯片外围电路。
商品特性
- 自举工作的浮动通道
- 最高工作电压可达250V
- 栅极驱动电压范围5V~20V
- 兼容3.3V/5V输入逻辑
- dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
- Vs负偏压能力达-9V
- 关断输入，低电平同时关断高、低侧输出
- 输入输出同相位
- 芯片开通/关断延时Ton/Toff = 150ns/150ns，高、低侧延时匹配
- 防直通保护，死区时间200ns
- 高、低侧欠压锁定电路，欠压锁定正向阈值4.5V，欠压锁定负向阈值4.3V
- 输出拉电流/灌电流能力：1A/1.4A
- 工作温度范围-40°C~125°C
- 集成自举二极管
- 符合RoHS标准
- 采用QFN24封装
应用领域
- 电机驱动