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NSG20652Q

集成自举的三相栅极驱动芯片

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描述: 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管、集成LDO
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: NSG20652Q
商品编号: C41414479
商品封装: QFN-24-EP(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.179581克(g)

商品参数

商品概述

NSG20652Q是一款三相高压功率MOSFET和IGBT栅极驱动器，可以同时驱动高侧和低侧功率晶体管的栅极。浮动通道驱动设计可以容纳总线电压高达250V。NSG20652Q输出能够提供较大的驱动能力，输出拉灌电流可以到达1.2A/1.5A。NSG20652Q关断输入低电平同时关断高低侧输出。内部防直通和死区电路可以防止两个晶体管同时导通，进一步降低了开关损耗。NSG20652Q的欠压锁定功能确保了当供电电压较低时，两个驱动器输出都是低电平。NSG20652Q集成LDO，可以为控制芯片提供电源电压。NSG20652Q集成自举二极管，可最大优化芯片外围电路。

商品特性

自举工作的浮动通道
最高工作电压可达250V
栅极驱动电压5V~20V，兼容3.3 /5V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达±50 V/ns
Vs负偏压能力达-9V
关断输入低电平同时关断高低侧输出
输入输出同相位
芯片开通/关断延时：Ton/Toff = 150ns/150ns
高低侧延时匹配
防直通保护，死区时间：200ns
高、低侧欠压锁定电路
欠压锁定正向阈值4.5V
欠压锁定负向阈值4.3V
输出拉/灌电流能力：1.2A/1.5A
宽温度范围：-40~125°C
集成自举二极管
集成LDO（5V/3.3V）
SEL悬空，输出5V
SEL接地，输出3.3V
最大输出电流100mA
符合RoSH标准
采用QFN24封装

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	三相
	负载类型	MOSFET；IGBT
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A
	工作电压	5V~20V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	40ns
	下降时间(tf)	15ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	300uA