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G2022

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片

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描述: 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A
品牌名称: WXNSIC(国硅集成)
商品型号: G2022
商品编号: C41414475
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.174498克(g)

商品参数

商品概述

G2022是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出具有大电流脉冲能力和防直通的死区逻辑。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道最高工作电压可达250V 。采用SOP8封装，可以在 -40°C至125℃温度范围内工作。该浮动通道需要额外的自举电路支持，高侧与低侧均包含有欠压保护功能。

商品特性

自举工作的浮地通道
最高工作电压为 +250V
兼容3.3V, 5V和15V输入逻辑
dVs/dt耐受能力可达 ±50V/ns
Vs负偏压能力达 -9V
栅极驱动电压从5V到20V
集成欠压锁定电路
- 欠压锁定正向阈值4.4V
- 欠压锁定负向阈值4.2V
防直通死区逻辑
- 死区时间设定200ns
芯片传输延时特性
- 开通/关断传输延时Ton/Toff = 150ns/140ns
- 延迟匹配时间50ns
宽温度范围 -40°C~125°C
输出级拉电流/灌电流能力1.2A/1.5A
符合RoSH标准
SOP8 (S)

应用领域

电机控制
空调/洗衣机
通用逆变器
微型逆变器驱动

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边；高边
	负载类型	MOSFET；IGBT
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	1.5A
	拉电流(IOH)	1.2A

	属性	参数值
	工作电压	5V~20V
	上升时间(tr)	50ns
	下降时间(tf)	40ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	静态电流(Iq)	190uA