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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

G040P02D5

1个P沟道 耐压:20V 电流:90A

描述
类型:P沟道 漏源电压(Vdss):-20V 连续漏极电流(Id):-90A 阈值电压(Vgs(th)):-1.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs:3.5mΩ@4.5V 4.4mΩ@2.5V 封装:DFN5X6-8L
品牌名称
GOFORD(谷峰)
商品型号
G040P02D5
商品编号
C41413506
商品封装
DFN5X6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)125W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)134nC@10V
输入电容(Ciss)8.668nF
反向传输电容(Crss)1.181nF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

G040P02D5采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS -20V
  • 漏极电流ID(栅源电压VGS = -10 V时) -90A
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -4.5V时) < 4.5 mΩ
  • 导通电阻RDS(ON)(栅源电压VGS = -2.5V时) < 5.5 mΩ
  • 经过100%雪崩测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-电源开关-DC/DC转换器

数据手册PDF