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G040P02D5
1个P沟道 耐压:20V 电流:90A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-90A 阈值电压(Vgs(th))：-1.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.5mΩ@4.5V 4.4mΩ@2.5V 封装：DFN5X6-8L
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G040P02D5
- 商品编号
- C41413506
- 商品封装
- DFN5X6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.668nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.181nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用Cmos先进的平面条形DMOST技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。 250V、典型值69mΩ、55A的N沟道MOSFET
商品特性
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关应用-同步整流