温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G025N03T
1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：160A 阈值电压(Vgs(th))：2.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：2.3mΩ@10V 3.1mΩ@4.5V 封装：TO-220
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G025N03T
- 商品编号
- C41413516
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.223nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 673pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
优惠活动
购买数量
(50个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个50个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
相似推荐
其他推荐