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G040P02K
1个P沟道 耐压:20V 电流:90A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-20V 连续漏极电流(Id)：-90A 阈值电压(Vgs(th))：-1.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：3.4mΩ@4.5V 4.3mΩ@2.5V 封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G040P02K
- 商品编号
- C41413507
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 134nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.245nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.183nF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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