温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GC20N65M
1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 阈值电压(Vgs(th))：5.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：148mΩ@10V 封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC20N65M
- 商品编号
- C41413518
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
GC20N65M采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可应用于多种场合。
商品特性
- VDS:650V
- ID(VGS=10V 时):20A
- RDS(ON)(VGS = 10V 时):180mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率开关
- DC/DC转换器
相似推荐
其他推荐