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GC20N65M
GC20N65M
- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 阈值电压(Vgs(th))：5.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：148mΩ@10V 封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GC20N65M
- 商品编号
- C41413518
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 151W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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