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PJM6801DPSG
N沟道 耐压:30V 电流:4.1A
- 描述
- 2个P沟道，VDS=-30V ID=-4.1A ,PD:1.4W RDS(ON)<60mΩ@Vgs=-10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM6801DPSG
- 商品编号
- C41413540
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0296克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
CMSC3007B将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 出色的导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷
- SOT-23-6封装
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用