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PJM6801DPSG实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJM6801DPSG

N沟道 耐压:30V 电流:4.1A

描述
2个P沟道,VDS=-30V ID=-4.1A ,PD:1.4W RDS(ON)<60mΩ@Vgs=-10V
品牌名称
PJSEMI(平晶微)
商品型号
PJM6801DPSG
商品编号
C41413540
商品封装
SOT-23-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.0296克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.1A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th))1.4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)8.5nC@10V
输入电容(Ciss)880pF@15V
反向传输电容(Crss)65pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道

数据手册PDF

优惠活动

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
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