温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MMDT5551SG
NPN 电流:600mA 电压:160V
- 描述
- 2个NPN,VCEO=160V IC=600mA,PD:1W ,放大倍数：30~250，Vce(sat）:0.2V(Max.)
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- MMDT5551SG
- 商品编号
- C41413541
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0294克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 600mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 160V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 250 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
相似推荐
其他推荐