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PJM4601DPSG-S
2个P沟道 耐压:20V 电流:2A
- 描述
- 2个P沟道，VDS=-20V ID=-2A ,PD:1W RDS(ON)<120mΩ@Vgs=-4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM4601DPSG-S
- 商品编号
- C41413544
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0304克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 75pF |
商品概述
G040P02D5采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
- 表面贴装封装
- 无卤和无锑
- 高功率和大电流处理能力
- SOT-23-6
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 电源管理
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