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PJM2302NSC
1个N沟道 耐压:20V 电流:4A
- 描述
- N沟道，VDS=20V ID=4A ,PD:1.25W RDS(ON)<40mΩ@Vgs=4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM2302NSC
- 商品编号
- C41413545
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.028克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
商品概述
G025N03T采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于多种应用场景。
商品特性
-快速开关-低栅极电荷和低导通电阻RDS(ON)-高功率和高电流处理能力
应用领域
-功率开关应用-电源管理
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