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PJM10H02NSC
N沟道 耐压:100V 电流:2A
- 描述
- N沟道，VDS=100V ID=2A ,PD:1W RDS(ON)<240mΩ@Vgs=10V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM10H02NSC
- 商品编号
- C41413546
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0278克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品概述
G020N03K采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-湿度敏感度等级3级
应用领域
-功率开关应用-不间断电源
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