温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
GT100P06K
1个P沟道 耐压:60V 电流:60A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-60A 阈值电压(Vgs(th))：-2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：7.6mΩ@10V 10.2mΩ@4.5V 封装：TO-252
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT100P06K
- 商品编号
- C41413519
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 650pF |