温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
PJM8205JDNSG-S
耐压:20V 电流:4A
- 描述
- 2个N沟道，VDS=20V ID=4A ,PD:1W RDS(ON)<30mΩ@Vgs=4.5V
- 品牌名称
- PJSEMI(平晶微)
- 商品型号
- PJM8205JDNSG-S
- 商品编号
- C41413536
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 共漏 |
商品特性
-先进沟槽技术-符合RoHS和REACH标准-无卤素和锑-湿度敏感度等级3
应用领域
-负载开关-PWM应用-电源管理