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GT065P06M
1个P沟道 耐压:60V 电流:103A
- 描述
- 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：-60V 连续漏极电流(Id)：-103A 阈值电压(Vgs(th))：-2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：6.6mΩ@10V 9mΩ@4.5V 封装：TO-263
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- GT065P06M
- 商品编号
- C41413511
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 103A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 62nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.985nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
GT065P06M采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- VDS -60V
- ID (在 VGS = -10V 时) -103A
- RDS(ON)(在 VGS = -10V 时) < 8mΩ
- RDS(ON)(在 VGS = -4.5V 时) < 11mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器