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G06NP06DS2
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:6A
- 描述
- 类型：N+P沟道 漏源电压(Vdss)：60V/-60V 连续漏极电流(Id)：3A/-6A 阈值电压(Vgs(th))：1.2V/-2.5V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：65mΩ/60mΩ@10V 66mΩ/73mΩ@4.5V 封装：SOP-8 Dual
- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 商品型号
- G06NP06DS2
- 商品编号
- C41413508
- 商品封装
- SOP-8Dual
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173181克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 454pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
G06NP06DS2采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于多种应用场景。
商品特性
- NMOS
- VDS 60V
- ID(VGS = 10 V时)3A
- RDS(ON)(VGS = 10 V时)< 80 mΩ
- RDS(ON)(VGS = 4.5 V时)< 85 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
- PMOS
- VDS -60V
- ID(VGS = -10 V时)-6A
- RDS(ON)(VGS = -10 V时)< 75 mΩ
- RDS(ON)(VGS = -4.5V时)< 92 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器