温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
G020N03K
G020N03K
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：140A 阈值电压(Vgs(th))：2.0V 导通电阻(RDS(on)@Vgs：1.8mΩ@10V 2.5mΩ@4.5V 封装：TO-252
- 品牌名称GOFORD(谷峰)
商品型号
G020N03K商品编号
C41413514商品封装
TO-252包装方式
编带
商品毛重
1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 5.655nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 851pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量(2500个/圆盘，最小起订量 1 个 )
个
起订量：1 个2500个/圆盘
近期成交0单
咨询客服
优惠券
芯媒体
建议反馈- 投诉意见
收起
