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HIRFZ44NPBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）设计紧凑，具备出色的电气性能。其最大漏源电流（ID）可达25安培，在10伏特下的导通电阻（RDSON）仅为12毫欧姆，有效降低了导通状态下的功耗。该器件的最大漏源电压（VDSS）为60伏特，能够承受较高电压的应用环境，同时，栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，提供了宽泛的操作范围。此MOSFET适用于各种电子设备中的电源管理与信号控制，如便携式电子产品、消费类电器等，是高性能电路设计的理想选择。
- 商品型号
- HIRFZ44NPBF
- 商品编号
- C41381868
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.747475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品概述
HIRFZ44NPBF采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 18 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器
- TO-220封装
- N沟道MOSFET
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