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HSTP75NF75
1个N沟道 耐压:80V 电流:96A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有高效能的特点，最大漏源电流（ID）为96安培，适用于大电流的应用场景。在10伏特下，其导通电阻（RDSON）低至6.2毫欧姆，显著降低了功率损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为80伏特，可以提供可靠的高电压操作保障。栅源电压（VGS）的最大值为20伏特，确保了广泛的驱动兼容性。该MOSFET适用于高功率密度的设计，如服务器电源供应、数据中心基础设施以及高性能计算设备中的电源管理和信号调节。
- 商品型号
- HSTP75NF75
- 商品编号
- C41381870
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.816327克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 96A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 146W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.395nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 255pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HSTP75NF75采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 80 V, ID = 96 A
- RDS(ON)< 7.2 m Ω@ VGS=10 V
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器