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HIRF530NPBF
1个N沟道 耐压:100V 电流:17A
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- 描述
- 这款N沟道场效应管（MOSFET）具有稳定的电气特性，其最大漏源电流（ID）为17安培，能够在高频率和高速切换的应用中保持良好的性能。在10伏特的测试条件下，导通电阻（RDSON）仅为80毫欧姆，有助于减少能量损耗。器件的最大漏源电压（VDSS）为100伏特，表明它可以安全地工作在较高的电压环境下。栅源电压（VGS）的最大额定值为20伏特，便于驱动控制。此MOSFET适用于消费电子设备中的电源转换和负载开关等场合，如个人电子装置及家用电器的电路保护与效率提升。
- 商品型号
- HIRF530NPBF
- 商品编号
- C41381869
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.836735克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.331nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HIRF530NPBF采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 100V
- ID = 17A
- RDS(ON) < 120mΩ @ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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