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ISL6614IRZR5238

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6614IRZR5238
商品编号: C3655724
商品封装: QFN-16(4x4)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ISL6614A集成了两个ISL6613A MOSFET驱动器，专门设计用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动两路MOSFET。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6614A可在5V至12V的范围内同时驱动上、下栅极。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用提供了必要的灵活性。集成了先进的自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最短。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前就开始工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。然后，转换器的输出电压受到低端MOSFET阈值的限制，如果在上电启动期间高端MOSFET短路，这可为微处理器提供一定的保护。 ISL6614A还具有三态PWM输入，该输入与英特矽尔（Intersil）的多相PWM控制器协同工作，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能省去了某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。

商品特性

与HIP6602 SOIC系列引脚兼容
用于两个同步整流桥的四路N沟道MOSFET驱动器
先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - rDS(ON)传导偏移效应自动归零
可调栅极电压（5V至12V）以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充电
支持高开关频率（高达1MHz） - 3A灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
用于输出级关断的三态PWM输入
满足电源时序要求应用的三态PWM输入迟滞
上电复位（POR）前过压保护
VCC欠压保护
可扩展的底部铜焊盘，用于增强散热
QFN封装： - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，提高了PCB效率并具有更薄的外形
提供无铅加退火版本（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔（Intel）和AMD微处理器的核心调节器
高电流DC/DC转换器
高频高效的电压调节模块（VRM）和电压调节装置（VRD）

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优惠活动

购买数量

(75个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个75个/管

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	4
	灌电流(IOL)	2A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	1.25A
	工作电压	10.8V~13.2V
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+125℃@(Tj)