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HIP2100IR4Z

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HIP2100IR4Z
商品编号: C3655528
商品封装: DFN-12(4x4)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

HIP2100 是一款高频、100V 半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动 IC。低端和高端栅极驱动器可独立控制，匹配时间为 8ns。这为用户在死区时间选择和驱动协议方面提供了最大的灵活性。低端和高端电源均具备欠压保护功能，可强制输出为低电平。片上二极管省去了其他驱动 IC 所需的分立二极管。全新的电平转换器拓扑结构结合了脉冲操作的低功耗优势和直流操作的安全性。与部分竞品不同，在高端电源短暂欠压后，高端输出能恢复到正确状态。

商品特性

驱动 N 沟道 MOSFET 半桥
提供 SOIC、EPSOIC、QFN 和 DFN 封装选项
SOIC、EPSOIC 和 DFN 封装符合 IPC - 2221 的 100V 导体间距准则
提供无铅产品（符合 RoHS 标准）
自举电源最大电压可达 114VDC
片上集成 1Ω 自举二极管
适用于多兆赫兹电路的快速传播时间
驱动 1000pF 负载时，典型上升和下降时间为 10ns
CMOS 输入阈值，提高抗噪能力
非半桥拓扑结构可使用独立输入
无启动问题
输出不受电源毛刺、高端低于地电位的振铃或高 dv/dt 下高端转换的影响
低功耗
宽电源电压范围
电源欠压保护
3Ω 驱动输出电阻
QFN/DFN 封装： - 符合 JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，提高 PCB 效率且外形更薄

应用领域

电信半桥电源
双开关正激转换器
有源钳位正激转换器

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优惠活动

购买数量

(75个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个75个/管

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	9V~14V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	工作温度	-40℃~+125℃