ISL89166FRTAZ
ISL89166FRTAZ
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL89166FRTAZ
- 商品编号
- C3655482
- 商品封装
- TDFN-8(3x3)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | - | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 6A | |
| 工作电压 | 4.5V~16V | |
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
ISL89166、ISL89167和ISL89168是高速、6A双通道MOSFET驱动器。这些器件与ISL89160、ISL89161、ISL89162驱动器类似,但使用NC引脚对用于死区时间控制的输出上升沿延迟进行编程。 作为使用外部RC电路实现时间延迟的替代方案,RDTA和RDTB引脚上的可编程延迟允许用户只需在这些引脚与地之间连接一个合适的电阻值,即可延迟相应输出的上升沿。时间延迟的精度和温度特性已明确规定,使用户无需像传统做法那样,为了延迟输出边沿而在逻辑输入上选择合适的外部电阻和电容。 在高开关频率下,这些MOSFET驱动器的内部偏置电流非常小。采用独立、非重叠的驱动电路来驱动每个CMOS输出FET,以防止输出级出现直通电流。 启动序列的设计旨在防止在vDD开启或关闭时出现意外的干扰。当VDD < ~1V时,输出与地之间的内部±0kΩ电阻有助于保持输出电压处于低电平。当~1V < VDD < UV时,两个输出均以极低的电阻被拉低,并且逻辑输入被忽略。这确保了被驱动的FET处于关断状态。当VDD > UVLO时,经过短暂延迟后,输出现在对逻辑输入做出响应。
商品特性
- 典型导通电阻 < 1Ω
- 规定的米勒平台驱动电流
- 极低的热阻 (θJC = 3 ℃/W)
- 适用于3.3V CMOS、5V CMOS和TTL的迟滞输入逻辑电平
- 用于通过外部RC组件实现可选时间延迟的精密阈值输入
- 可使用电阻代替用于时间延迟的RC组件来编程延迟
- 驱动10nF负载时,上升和下降时间为20ns
- NC引脚可连接到地或VDD,以实现灵活的PCB布局选项
应用领域
- 同步整流器 (SR) 驱动器
- 开关模式电源
- 电机驱动器、D类放大器、UPS、逆变器
- 脉冲变压器驱动器
- 时钟/线路驱动器
优惠活动
购买数量
(100个/管,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个100个/管
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