RAJ20660AGNP#HA0

RAJ20660AGNP多芯片模块在单个QFN封装中集成了高端MOS FET、低端MOS FET和MOS FET驱动器。内置驱动器优化了功率MOS FET的导通和关断时序，使该器件适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了高端自举开关，无需为此使用外部SBD。 DrMOS多芯片模块在单个QFN封装中集成了高端MOS FET、低端MOS FET和MOS FET驱动器。由于每个芯片之间的寄生电感极小，该模块非常适合用于高频运行的降压转换器。高端MOS FET、低端MOS FET和驱动器之间的控制时序经过优化，因此在低输出电压下可实现高效率。