ISL83202IBZ
55V、1A 峰值电流 H 桥 FET 驱动器
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- 描述
- 是一款中频H桥FET驱动器,能够提供1A(典型值)的峰值驱动电流,用于在中压应用中驱动高端和低端N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化,可实现基于桥接的简单灵活设计。典型输入到输出传播延迟低至25ns,用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs,适用于高达200kHz的开关频率。死区时间可通过单个电阻进行编程,四个独立的驱动器控制输入允许驱动各种开关组合,全局禁用输入可覆盖输入控制并在拉低时刷新自举电容。集成了欠压保护和直通保护,确保系统可靠运行。采用紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装,工作温度范围为-55°C至+125°C。
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- ISL83202IBZ
- 商品编号
- C3655228
- 商品封装
- SOIC-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.364克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 4 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 8.5V~15V | |
| 上升时间(tr) | 9ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);短路保护(SCP) | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 静态电流(Iq) | 2.3mA |
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