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ISL83202IBZ

55V、1A 峰值电流 H 桥 FET 驱动器

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描述
是一款中频H桥FET驱动器,能够提供1A(典型值)的峰值驱动电流,用于在中压应用中驱动高端和低端N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化,可实现基于桥接的简单灵活设计。典型输入到输出传播延迟低至25ns,用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs,适用于高达200kHz的开关频率。死区时间可通过单个电阻进行编程,四个独立的驱动器控制输入允许驱动各种开关组合,全局禁用输入可覆盖输入控制并在拉低时刷新自举电容。集成了欠压保护和直通保护,确保系统可靠运行。采用紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装,工作温度范围为-55°C至+125°C。
商品型号
ISL83202IBZ
商品编号
C3655228
商品封装
SOIC-16​
包装方式
管装
商品毛重
0.364克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数4
灌电流(IOL)1A
拉电流(IOH)1A
属性参数值
工作电压8.5V~15V
上升时间(tr)9ns
下降时间(tf)9ns
特性欠压保护(UVP);短路保护(SCP)
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)
静态电流(Iq)2.3mA

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