A4935EJPTR-T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 三相 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 灌电流(IOL) | - | |
| 拉电流(IOH) | - | |
| 工作电压 | 5.5V~50V | |
| 上升时间(tr) | 35ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP)；过热保护(OTP)；过压保护(OVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 交错导通保护；死区时间控制；充电泵升压 |
商品概述
A4935是一款用于N沟道外部功率MOSFET的三相控制器，专为汽车应用设计。独特的电荷泵调节器可为低至7V的电池电压提供全（>10V）栅极驱动，并允许A4935在低至5.5V的降低栅极驱动下运行。自举电容器用于为N沟道MOSFET提供高于电池的电源电压。内部高端驱动电荷泵允许直流（100%占空比）运行。提供对三相桥中所有六个功率FET的完全控制，允许电机采用方波换相或正弦激励驱动。功率FET通过集成的交叉控制和电阻可调死区时间防止直通。可使用集成电流检测放大器测量桥电流。集成诊断功能可指示欠压、过温和功率桥故障，可配置为在大多数短路条件下保护功率FET。详细诊断信息以串行数据字形式提供。A4935采用带外露散热焊盘的48引脚LQFP封装（后缀JP），是一种小尺寸（81mm²）功率封装，无铅，引脚框架采用100%雾锡电镀。
商品特性
- 为N沟道MOSFET提供高电流三相栅极驱动
- 具有可调死区时间的交叉导通保护
- 用于100% PWM的顶部充电泵
- 用于低电源电压操作的充电泵
- 独立的电流检测放大器
- 5.5至50V的电源电压范围
- 与3.3V和5V逻辑兼容
- 广泛的诊断输出
- 低电流睡眠模式
应用领域
- 汽车应用