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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.4A | |
| 工作电压 | 10V~20V | |
| 上升时间(tr) | 40ns | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LF21844N是一款高压、高速栅极驱动器，能够以半桥配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压技术使LF21844N的高端在自举操作中可切换至600V。 LF21844N逻辑输入与标准TTL和CMOS电平（低至3.3V）兼容，便于与控制设备接口。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过外部电阻可对死区时间进行编程，提供了更高的系统级灵活性。 LF21844N采用SOIC(N)-14封装。其工作温度范围为-40℃至+125℃。
商品特性
- 自举操作中的浮动高端驱动器，可达600V
- 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET或IGBT
- 1.4A源电流/1.7A灌电流输出能力
- 输出可耐受负瞬变
- 可编程死区时间，用于保护MOSFET
- 宽低端栅极驱动器电源电压：10V至20V
- 宽逻辑电源电压偏移电压：-5V至5V
- 逻辑输入（IN和SD*）支持3.3V
- 带内部上拉和下拉的施密特触发逻辑输入
- 高端和低端驱动器具备欠压锁定（UVLO）功能
- 扩展温度范围：-40℃至+125℃
应用领域
- DC-DC转换器
- AC-DC逆变器
- 电机控制
- D类功率放大器
交货周期
订货15-17个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 2500 个)个
起订量：2500 个2500个/圆盘
总价金额：
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