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HIP2210FRTZ-T7A

100V、3A 源电流、4A 灌电流，具备 HI/LI 或三电平 PWM 输入及可调死区时间的高频半桥驱动器

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描述: HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HIP2210FRTZ-T7A
商品编号: C3655232
商品封装: TDFN-10(4x4)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.149107克(g)

商品参数

	属性	参数值
	下降时间(tf)	20ns
	传播延迟 tpLH	15ns
	传播延迟 tpHL	15ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	1.84V~2.35V
	输入低电平(VIL)	1.29V~1.47V
	静态电流(Iq)	455uA

商品概述

HIP2210和HIP2211是100V、3A源极、4A灌极的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，并且与瑞萨（Renesas）流行的桥驱动器（如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。这些驱动器具有强大的3A源极、4A灌极驱动能力，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定（UVLO）功能可防止欠压操作。 HIP2210 PWM引脚的三电平输入通过单个引脚控制高端和低端驱动器。当PWM输入为逻辑高电平时，高端桥接FET导通，低端FET关断。当输入为逻辑低电平时，低端桥接FET导通，高端FET关断。当输入电压处于中间电平状态时，高端和低端桥接FET均关断。PWM阈值电平与VREF引脚上的外部输入参考电压成比例，允许在2.7V至5.5V逻辑范围内进行PWM操作。

商品特性

HIP2211可直接替代采用8引脚SOIC、8引脚DFN和10引脚TDFN封装的ISL2111和HIP2101
115VDC自举电源最大电压支持半桥上的100V电压
用于NMOS FET的3A源极和4A灌极栅极驱动器
快速传播延迟和匹配：典型延迟15ns；典型匹配2ns（HIP2211）
集成典型值为0.5Ω的自举二极管
6V至18V的宽工作电压范围
VDD和自举欠压锁定（UVLO）
强大的抗噪声能力：输入具有宽滞后特性；HS引脚可承受高达 - 10V的连续电压
HIP2211：HI/LI输入与VDD电压容限兼容的3.3V逻辑
HIP2210：三电平PWM输入，逻辑阈值电平由外部VREF引脚设置，范围为2.7V至5.5V
HIP2210：可编程死区时间可防止直通；通过单个电阻可在35ns至350ns范围内调节

应用领域

电信半桥和全桥DC/DC转换器
三相无刷直流（BLDC）电机驱动器；H桥电机驱动器
双开关正激和有源钳位转换器
多相PWM DC/DC控制器
D类放大器

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优惠活动

购买数量

(250个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个250个/圆盘

近期成交0单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	4A
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	6V~18V
	上升时间(tr)	435ns