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ISL6614CBZR5238

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ISL6614CBZR5238
商品编号: C3654908
商品封装: SOIC-14
包装方式: 管装
商品毛重: 0.299克(g)

商品参数

商品概述

ISL6614集成了两个ISL6613 MOSFET驱动器，专为在多相交错式降压转换器拓扑中驱动两个独立的功率通道而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 ISL6614可在5V至12V的范围内同时驱动上、下栅极。这种驱动电压为优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用提供了必要的灵活性。集成了先进的自适应零直通保护功能，可防止上、下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。这些产品增加了过压保护功能，该功能在VCC超过其开启阈值之前就开始工作，此时PHASE节点连接到低端MOSFET的栅极（LGATE）。然后，转换器的输出电压受低端MOSFET阈值的限制，如果在上电启动期间高端MOSFET短路，这可为微处理器提供一定的保护。过温保护功能在结温超过+150℃（典型值）时关闭输出，防止因功耗过大而导致故障。一旦结温降至+108℃（典型值），驱动器将复位。 ISL6614还具有三态PWM输入，它与Intersil的多相PWM控制器协同工作，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此功能省去了某些系统中用于保护负载免受输出电压反向影响的肖特基二极管。

商品特性

与HIP6602 SOIC系列引脚兼容，以实现更好的性能和额外的保护功能
用于两个同步整流桥的四路N沟道MOSFET驱动器
先进的自适应零直通保护 - 体二极管检测 - rDS(ON)传导偏移效应自动归零
可调栅极电压（5V至12V），以实现最佳效率
内部自举肖特基二极管
防止自举电容过充电
支持高开关频率（高达1MHz） - 3A灌电流能力 - 快速上升/下降时间和低传播延迟
用于输出级关断的三态PWM输入
适用于有电源排序要求应用的三态PWM输入迟滞
上电复位前过压保护
VCC欠压保护
具有+42℃迟滞的过温保护（OTP）
可扩展的底部铜焊盘，以增强散热
QFN封装： - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN - 四方扁平无引脚 - 封装外形 - 接近芯片级封装尺寸，可提高PCB效率并具有更薄的外形
提供无铅产品（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔和AMD微处理器的核心调节器
大电流DC/DC转换器
高频高效VRM和VRD

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优惠活动

购买数量

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	4
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	5V~12V
	上升时间(tr)	26ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+85℃