HIP2120FRTAZ

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HIP2120FRTAZ
商品编号: C3654967
商品封装: TDFN-10(4x4)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	-
	传播延迟 tpHL	-
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	5.3V~8.2V
	输入低电平(VIL)	-
	静态电流(Iq)	-
	功能特性	使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制

商品概述

HIP2120和HIP2121是100V高频半桥MOSFET驱动IC，它们基于流行的ISL2100A和ISL2101A半桥驱动器。这些驱动器具有可编程死区时间，以确保高端和低端驱动器之间的先断后通操作，死区时间可调节至250ns。单个PWM逻辑输入控制两个桥输出（HO、LO），使能引脚（EN）为低电平时，将两个输出驱动为低电平。所有逻辑输入都能承受VDD电压，HIP2120具有带迟滞的CMOS输入，可在嘈杂环境中实现卓越操作。HIP2120的迟滞输入阈值与VDD成比例，HIP2121具有3.3V逻辑/TTL兼容输入。提供两种封装选项，10引脚4x4 DFN封装具有标准引脚排列，9引脚4x4 DFN封装省略引脚2以符合IPC - 2221的100V导体间距要求。

商品特性

9引脚TDFN “B”封装符合IPC - 2221的100V导体间距指南
先断后通死区时间可防止直通，可调节至220ns
自举电源最大电压至114VDC
宽电源电压范围（8V至14V），具有电源欠压保护
带迟滞的CMOS兼容输入阈值（HIP2120）
典型输出上拉/下拉电阻为1.6Ω/1Ω
片上1Ω自举二极管

应用领域

电信半桥DC/DC转换器
UPS和逆变器
电机驱动器
D类放大器
带有源钳位的正激转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	2A
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	8V~14V
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns