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RAA2261104GNP#AA0

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RAA2261104GNP#AA0
商品编号: C3655029
商品封装: QFN-16(4x4)
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

RAA226110是一款低端驱动器，旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强型氮化镓（GaN）FET。RAA226110的工作电源电压范围为6.5V至18V，具有反相（INB）和同相（IN）输入，可通过单个器件满足反相和同相栅极驱动的要求。 RAA226110提供由内部稳压器产生的5.8V栅极驱动电压（VDRV），可防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅源额定值。栅极驱动电压具有欠压锁定（UVLO）保护功能，可忽略输入（IN/INB），并使OUTL连接到VEEL，以确保只要VDRV低于UVLO阈值，GaN FET就处于关断状态。无论VDD电压如何，RAA226110的IN/INB输入都能承受高达18V的电压，这使得输入可直接连接到大多数PWM控制器。RAA226110的分离输出提供了灵活性，可通过在导通和关断路径中添加额外的阻抗来独立调整导通和关断速度。 RAA226110的工作温度范围为工业级的-40℃至+125℃，采用16引脚QFN封装。

商品特性

6.5V至18V的宽工作电压范围
高达18V的逻辑输入（与VDD电平无关）
反相和同相输入
针对驱动增强型GaN FET进行了优化
内部5.8V稳压栅极驱动电压
独立输出，可调节导通/关断速度
源电流可编程为0.3A、0.75A、2A
过流保护，阈值可调节为40mV、80mV、120mV
故障引脚和过温保护
工作温度范围：-40℃至+125℃

应用领域

开关模式电源
GaN FET驱动应用

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	低边
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	2A
	工作电压	6.5V~18V
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	2ns
	工作温度	-40℃~+125℃