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HIP6601BCBZ-T

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HIP6601BCBZ-T
商品编号: C3655195
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.169克(g)

商品参数

商品概述

HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B是高频双MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动两个功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx系列多相降压PWM控制器以及MOSFET相结合，可为先进的微处理器形成完整的核心电压调节器解决方案。 HIP6601B将同步整流器中的下栅极驱动至12V，而上栅极可在5V至12V的范围内独立驱动。HIP6603B可将上、下栅极在5V至12V的范围内驱动。这种驱动电压的灵活性在优化涉及开关损耗和传导损耗权衡的应用方面具有优势。HIP6604B可配置为HIP6601B或HIP6603B。 HIP6601B、HIP6603B和HIP6604B中的输出驱动器能够以高达2MHz的频率高效切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF的负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。这些产品仅需一个外部电容器即可实现上栅极的自举。这降低了实施复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，以防止两个MOSFET同时导通。

商品特性

驱动两个N沟道MOSFET
自适应直通保护
内部自举器件
支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
小型8引脚SOIC和EPSOIC封装以及16引脚QFN封装
双栅极驱动电压以实现最佳效率
输出级关断的三态输入
电源欠压保护
QFN封装 - 符合JEDEC PUB95 MO - 220 QFN（四方扁平无引脚）产品外形。 - 接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率并降低外形厚度。
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

英特尔奔腾III、AMD速龙微处理器的核心电压电源
高频薄型DC/DC转换器
大电流低压DC/DC转换器

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优惠活动

购买数量

(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个2500个/圆盘

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	730mA

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	580mA
	工作电压	5V~12V
	上升时间(tr)	20ns
	下降时间(tf)	20ns
	工作温度	0℃~+85℃