TDA21570AUMA1

高频、薄型 DC-DC 转换器；用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器；电信受控和非受控应用。 TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，它与控制和同步 MOSFET 共同封装，并带有一个有源二极管结构，该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。 与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比，内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。 保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。 高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应，允许输出电感以及输入和输出电容小型化，同时保持行业领先的效率。 TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器，该驱动器经过优化，可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如 DCR 感测和 Rdson 感测）的 DC-DC 控制器通常存在局限性。DCR 电流感测对电感的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson 电流感测不依赖于电感，但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。此外，很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。通过 TDA21570 中的先进电流镜感测，在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。

• 集成驱动器、有源二极管、控制 MOSFET Q1 和同步 MOSFET Q2
• 片上 MOSFET 电流感测和报告，比例为 5 μA/A
• 输入电压（VIN）范围为 4.25 V 至 16 V
• VCC 和 VDRV 电源为 4.25 V 至 5.5 V
• 在 VIN = 12 V 时，输出电压范围从 0.225 V 到 5.5 V
• 输出电流能力为 70 A
• 工作频率高达 1.5 MHz
• 增强的故障报告和识别功能
• VDRV 欠压锁定（UVLO）
• 自举欠压保护
• 8 mV/℃ 温度模拟输出
• 过温保护和热关断
• 逐周期过流保护（OCP）及标志
• 控制 MOSFET 短路（HSS）检测及标志
• 自举电容自动补充
• 与 3.3 V 或三态 PWM 输入兼容
• Body-Braking™ 负载瞬态支持
• 通过 EN = 低电平实现深度睡眠模式以节省功耗（典型值 32 µA）
• 小型 5 mm x 6 mm x 0.9 mm PQFN 封装
• 无铅、符合 RoHS 标准的封装