温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

STDRIVEG600

用于氮化镓（GaN）晶体管的高压半桥栅极驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: GaN晶体管的高压半桥栅极驱动器
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STDRIVEG600
商品编号: C3655212
商品封装: SO-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.345333克(g)

商品参数

商品概述

STDRIVEG600是一款用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）或N沟道功率MOSFET的单芯片半桥栅极驱动器。高端部分设计可承受高达600 V的电压，适用于母线电压高达500 V的设计。该器件凭借高电流能力、短传播延迟以及低至5 V的电源电压工作特性，专为驱动高速GaN和硅（Si）FET而设计。 STDRIVEG600在上下驱动部分均具备欠压锁定（UVLO）保护功能，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作，并且互锁功能可避免出现直通导通情况。逻辑输入与低至3.3 V的CMOS/TTL兼容，便于与微控制器和数字信号处理器（DSP）接口。

商品特性

dV/dt抗扰度 ±200 V/ns
驱动器电流能力：在25 ℃、6 V条件下，典型源/灌电流为1.3/2.4 A；在25 ℃、15 V条件下，典型源/灌电流为5.5/6 A
独立的导通和关断栅极驱动引脚
45 ns传播延迟且匹配度高
带迟滞功能的3.3 V、5 V TTL/CMOS输入
互锁功能
低端和高端部分均有欠压锁定（UVLO）保护
用于关断功能的专用引脚
过温保护

应用领域

高压功率因数校正（PFC）、DC-DC和DC-AC转换器
开关模式电源
不间断电源（UPS）系统
太阳能电源
家用电器、工厂自动化和工业驱动的电机驱动器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

优惠活动

购买数量

(50个/管，最小起订量 1 个)

个

起订量：1 个50个/管

总价金额：

￥ 0.00

近期成交8单

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	灌电流(IOL)	6A
	拉电流(IOH)	6A
	工作电压	4.75V~20V
	上升时间(tr)	30ns
	下降时间(tf)	30ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpLH	45ns
	传播延迟 tpHL	45ns
	特性	过热保护
	工作温度	-40℃~+125℃
	输入高电平(VIH)	2V~2.5V
	输入低电平(VIL)	1.1V~1.45V
	静态电流(Iq)	900uA