R2J20604NP#13

R2J20604NP多芯片模块在单个QFN封装中集成了一个高端MOS FET、一个低端MOS FET和一个MOS FET驱动器。内置驱动器优化了功率MOS FET的导通和关断时序，使该器件适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了一个高端自举肖特基势垒二极管（SBD），无需为此目的使用外部SBD。 这款新器件集成了一个驱动器以及高端和低端功率MOS FET，还符合英特尔公司提出的封装标准“集成驱动器 - MOS FET（DrMOS）”。

• 内置功率MOS FET，适用于12 V输入、低输出电压的应用
• 内置与功率MOS FET匹配的驱动电路
• 内置三态输入功能，可支持多种PWM控制器，能够处理3.3 V PWM信号
• VIN工作电压范围：最大16 V 可进行高频操作（高于1 MHz） 平均输出电流大（最大40 A）
• 实现低功耗（在1 MHz、25 A时约为4.4 W）
• 可控制的驱动器：远程开/关
• 内置自举肖特基二极管
• 低端驱动电压可独立设置
• 小封装：QFN56（8 mm×8 mm×0.95 mm）
• 引脚无铅/无卤