温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

HIP4080AIBZT

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 是高频率、中压N沟道FET全桥驱动IC，包含输入比较器，用于简化“滞后”和PWM操作模式。其HEN（高使能）引脚可强制电流在底部两个外部功率MOSFET中续流，保持上部功率MOSFET关闭。由于可在高达1MHz的频率下切换，适用于驱动音圈电机、开关功率放大器和电源。还可驱动中压有刷电机，两个该IC可用于驱动高性能步进电机，短的最小“导通时间”可提供精细微步进能力。短传播延迟约55ns可最大化控制回路交叉频率，死区时间可调整至接近零以最小化失真，从而精确控制驱动负载。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: HIP4080AIBZT
商品编号: C3655064
商品封装: SOIC-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.8克(g)

商品参数

商品概述

HIP4080A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC，提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。HIP4080A包含一个输入比较器，用于实现“迟滞”和PWM工作模式。其HEN（高端使能）引脚可迫使电流在底部两个外部功率MOSFET中续流，同时保持上部功率MOSFET关断。由于它能够以高达1MHz的频率进行开关操作，因此HIP4080A非常适合驱动音圈电机、开关功率放大器和电源。HIP4080A还可以驱动中压有刷电机，并且两个HIP4080A可用于驱动高性能步进电机，因为其极短的最小“导通时间”可提供精细的微步驱动能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率，并且死区时间可调节至接近零以最小化失真，从而实现对被驱动负载的精确控制。

商品特性

驱动N沟道FET全桥，具备高端斩波能力
自举电源最大电压可达95VDC
在+50℃的自由空气中，以1MHz的频率驱动1000pF负载，典型上升和下降时间为10ns
用户可编程死区时间
电荷泵和自举电路维持高端偏置电源
DIS（禁用）引脚将栅极拉低
输入逻辑阈值与5V至15V逻辑电平兼容
极低功耗
欠压保护
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

中/大型音圈电机
全桥电源
开关功率放大器
高性能电机控制
噪声消除系统
电池供电车辆
外设
不间断电源

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	全桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	4
	灌电流(IOL)	19mA
	拉电流(IOH)	3mA
	工作电压	9.5V~15V

	属性	参数值
	上升时间(tr)	10ns
	下降时间(tf)	10ns
	特性	欠压保护(UVP)
	工作温度	-40℃~+85℃
	输入高电平(VIH)	2.5V
	输入低电平(VIL)	1V
	静态电流(Iq)	25uA