SIC830AED-T1-GE3

SiC830是一款针对同步降压应用优化的集成功率级解决方案，可提供高电流、高效率和高功率密度性能。SiC830采用Vishay的5 mm×6 mm MLP封装，使电压调节器设计能够实现每相电流超过80 A。 内部功率MOSFET采用了Vishay先进的TrenchFET Gen IV技术，该技术达到了行业基准性能，可显著降低开关损耗和传导损耗。 SiC830集成了先进的MOSFET栅极驱动IC，具有高电流驱动能力、自适应死区时间控制和集成自举开关，还配备了热监测器，可在结温过高时向系统发出警报。该驱动器还支持3.3 V和5 V三态PWM逻辑，与多种PWM控制器兼容。通过GLCTRL信号，可在轻载时启用二极管仿真模式。该器件还集成了电流监测器，可实时按比例缩小电感电流（IMON）。温度监测器可向系统提供功率级内部温度指示（TMON），必要时可用于将系统运行降至更安全的水平。该器件还集成了故障警报功能，如高端FET过流、过温和高端MOSFET短路故障。

• 热增强型PowerPAK MLP56-39L封装
• 通过在低端MOSFET中集成肖特基二极管优化MOSFET开关性能
• 高达80 A的连续电流
• 高达2 MHz的高频运行
• 功率MOSFET针对12 V至19 V输入级和10%至15%占空比运行进行了优化
• 具有三态和闭锁功能的3.3 V / 5 V PWM逻辑
• PWM最小可控导通时间为30 ns
• 使用GLCTRL引脚在轻载时实现二极管仿真模式，以在全负载范围内实现高效率
• 低PWM传播延迟（<20 ns）
• 电流感应监测器（IMON）
• 温度监测器（TMON）
• 过温警报
• 高端MOSFET过流和短路警报
• VDRV和BOOT欠压锁定

• 同步降压转换器
• 用于CPU、GPU和内存的多相VRD
• DC/DC VR模块