FDMF6707V
FDMF6707V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMF6707V
- 商品编号
- C3655097
- 商品封装
- PQFN-40(6x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1564克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
XS™ DrMOS系列是面向大电流、高频同步降压式DC-DC应用的下一代、完全优化、超紧凑的集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案。FDMF6707V将一个驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管集成到一个散热增强型、超紧凑的6x6mm PQFN封装中。 通过集成方式，整个开关功率级针对驱动器和MOSFET动态性能、系统电感和功率MOSFET的RDS(ON)进行了优化。XS™ DrMOS采用高性能PowerTrench® MOSFET技术，可显著减少开关振铃，在大多数降压转换器应用中无需使用缓冲电路。 一款新型驱动器IC减少了死区时间和传播延迟，进一步提升了性能。内部12V至5V线性稳压器使FDMF6707V能够由单一12V电源供电。热警告功能可对潜在的过热情况发出警告。FDMF6707V还具备诸如用于提高轻载效率的跳周期模式（SMOD），以及用于与各种PWM控制器兼容的三态3.3V PWM输入等特性。
商品特性
- 峰值效率超过93%
- 内部12V至5V线性稳压器
- 大电流处理能力：50A
- 高性能PQFN铜夹封装
- 三态3.3V PWM输入驱动器
- 跳周期模式SMOD#（低端栅极关断）输入
- 过热情况热警告标志
- 驱动器输出禁用功能（DISB#引脚）
- 分别为SMOD#和DISB#输入提供内部上拉和下拉电阻
- 采用PowerTrench®技术的MOSFET，可实现干净的电压波形并减少振铃
- 低端MOSFET采用SyncFET™（集成肖特基二极管）技术
- 集成自举肖特基二极管
- 自适应栅极驱动时序，用于防止直通
- 欠压锁定（UVLO）
- 针对高达1MHz的开关频率进行优化
- 薄型SMD封装
- 绿色封装且符合RoHS标准
- 基于Inte 4.0 DrMOS标准
应用领域
- 高性能游戏主板
- 紧凑型刀片服务器、V-Core和非V-Core DC-DC转换器
- 台式计算机、V-Core和非V-Core DC-DC转换器
- 工作站
- 大电流DC-DC负载点（POL）转换器
- 网络和电信微处理器电压调节器
- 小尺寸电压调节器模块