温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MASTERGAN5
高功率密度600V半桥驱动器，集成两个增强型GaN HEMT，具备多种保护功能和简化设计
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 具有两个增强模式 GaN 功率 HEMT 的高功率密度 600 V 半桥驱动器
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- MASTERGAN5
- 商品编号
- C3655030
- 商品封装
- QFN-31(9x9)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 灌电流(IOL) | 4A | |
| 拉电流(IOH) | 4A | |
| 工作电压 | 4.75V~9.5V | |
| 下降时间(tf) | 70ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | 2V~2.7V | |
| 输入低电平(VIL) | 1.45V | |
| 静态电流(Iq) | 680uA | |
| 功能特性 | 使能关断；内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品特性
- 600 V 系统级封装，集成半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管：
- QFN 9x9x1 mm 封装
- RDS(ON) = 450 mΩ
- IDS(MAX) = 4 A
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 低压侧和高压侧的欠压锁定保护
- 内置自举二极管
- 互锁功能
- 专用关断功能引脚
- 精确的内部时序匹配
- 3.3 V 至 15 V 兼容输入，带滞回和下拉
- 过温保护
- 减少物料清单
- 非常紧凑且简化的布局
- 灵活、简单且快速的设计
应用领域
- 开关模式电源
- 充电器和交流转直流电源适配器
- 高压PFC、直流-直流转换器和直流-交流转换器
- MAX5048BAUT
- ISL83204AIPZ
- 1EDN7126GXTMA1
- HV400IB
- 1SP0335V2M1-FZ750R65KE3
- UCC27282QDDARQ1
- HIP6603CB
- 1SP0335V2M1C-FZ600R65KF2
- 1SP0335V2M1C-5SNA0750G650300
- SIC521CD-T1-GE3
- HIP2500IB
- IRS2607DSTRPBF
- 1SP0335V2M1-5SNA0750G650300
- IXDD614SI
- MP86957GMJ-Z
- NCP81071DDR2G
- HIP4080AIBZT
- MCP14E3-E/SL
- IRS21956SPBF
- DP8459V-10
- MAX25615AUT/V+T