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IXDI609SITR
高速低侧超快MOSFET驱动器，适用于驱动MOSFET和IGBT，具备低传播延迟、匹配的上升和下降时间等特点
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXDI609SITR
- 商品编号
- C3654982
- 商品封装
- SOIC-8-EP
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 低边 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 1 | |
| 灌电流(IOL) | 9A | |
| 拉电流(IOH) | 9A | |
| 工作电压 | 4.5V~35V | |
| 上升时间(tr) | 22ns | |
| 下降时间(tf) | 15ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 功能特性 | 使能关断；交错导通保护 |
商品概述
IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出能够提供和吸收9A的峰值电流，同时产生小于25ns的电压上升和下降时间。输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁。专有电路消除了交叉导通和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间，使IXD_609系列非常适合高频和高功率应用。 IXDD609配置为带使能的同相驱动器，IXDN609配置为同相驱动器，IXDI609配置为反相驱动器。 IXD_609系列有标准8引脚DIP（PI）、8引脚SOIC（SIA）、带外露金属背的8引脚Power SOIC（SI）、8引脚DFN（D2）、5引脚TO - 263（YI）和5引脚TO - 220（CI）封装可供选择。
商品特性
- 9A峰值源/灌驱动电流
- 宽工作电压范围：4.5V至35V
- -40°C至+125°C扩展工作温度范围
- 逻辑输入可承受高达5V的负摆幅
- 匹配的上升和下降时间
- 低传播延迟时间
- 低至10μA的电源电流
- 低输出阻抗
应用领域
- 高效功率MOSFET和IGBT开关
- 开关模式电源
- 电机控制
- DC - DC转换器
- D类开关放大器