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RAA220002GNP#HA0

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: RAA220002GNP#HA0
商品编号: C3654995
商品封装: TDFN-12(3x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.055克(g)

商品参数

商品概述

RAA220002是一款双高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET而设计。 RAA220002的上下栅极均由外部施加的电压驱动，这使得它能够优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用。该器件集成了先进的自适应直通保护功能，可防止上下MOSFET同时导通，并将死区时间降至最低。RAA220002集成了一个10kΩ的高端栅源电阻，以防止因输入总线高dV/dt而导致的自导通。当VCC低于上电复位（POR）阈值时，RAA220002的过压保护功能仍可正常工作。PHASE节点通过一个30kΩ的电阻连接到低端MOSFET的栅极（LGATE），将转换器的输出电压限制在接近低端MOSFET的栅极阈值。这取决于分流电流的大小，若高端MOSFET发生短路，可为负载提供一定的保护。

商品特性

双独立MOSFET驱动器，适用于多相DC/DC应用
用于同步整流桥的双MOSFET驱动器
先进的自适应零直通保护：PHASE检测、LGATE检测、rps(on)导通偏移效应自动归零
低待机偏置电流
36V内部自举开关
防止自举电容过充
集成高端栅源电阻，防止因输入总线高dV/dt而导致的自导通
上电复位前（Pre-POR）过压保护，用于启动和关断
电源轨欠压保护
可扩展底部铜焊盘，增强散热性能
薄型双侧扁平无引脚（TDFN）封装
接近芯片级封装尺寸；提高PCB效率，降低外形厚度
无铅（符合RoHS标准）

应用领域

高光负载效率电压调节器
先进微处理器的核心调节器
大电流DC/DC转换器

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	半桥
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	3A

	属性	参数值
	拉电流(IOH)	3A
	工作电压	6V~13.2V
	上升时间(tr)	31ns
	下降时间(tf)	18ns
	工作温度	-40℃~+85℃