ISL6205CB-T
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 灌电流(IOL) | 850mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 10.8V~13.2V | |
| 下降时间(tf) | 20ns | |
| 工作温度 | -10℃~+85℃ |
商品概述
ISL6205是一款高压、高频双MOSFET驱动器，专为在移动计算应用的同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET而设计。该驱动器与ISL6223或其他英特矽尔多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案。 ISL6205允许用户为同步整流降压转换器中的下MOSFET选择5V至12V的栅极电压。使用12V栅极电压可降低MOSFET的RDS(ON)和传导损耗。上栅极需要在5V下运行。 ISL6205具有三态PWM输入，与任何英特矽尔多相PWM控制器配合使用时，可防止在输出关闭时输出电压出现负瞬变。此特性省去了微处理器电源系统中通常用于保护微处理器免受反向输出电压损坏的肖特基二极管。 ISL6205中的输出驱动器能够以高达2MHz的频率高效切换功率MOSFET。每个驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为30ns，转换时间为50ns。该产品在上栅极采用自举技术，降低了实现复杂度，并允许使用高性能、高性价比的N沟道MOSFET。集成了自适应直通保护功能，可防止两个MOSFET同时导通。 ISL6205双MOSFET驱动器专为实现多功能性和高速度而设计，可通过一个外部提供的PWM信号控制高端和低端N沟道FET。 在上电初始化之前，上、下栅极均保持低电平。一旦VCC电压超过VCC
商品特性
- 驱动两个N沟道MOSFET
- 自适应直通保护
- 25V工作电压
- 支持高开关频率 - 快速输出上升时间 - 传播延迟30ns
- 小型8引脚SOIC封装
- 下MOSFET采用双栅极驱动电压，实现最佳效率
- 输出级关断采用三态输入
- 电源欠压保护
- 下MOSFET采用5V或12V驱动
应用领域
- 英特尔移动奔腾III、AMD移动速龙或毒龙微处理器的核心电压电源
- 高频薄型DC-DC转换器
- 大电流低压DC-DC转换器
- 高输入电压DC-DC转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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