R2J20657BNP#G2
商品参数
参数完善中
商品概述
R2J20657BNP多芯片模块在单个QFN封装中集成了一个高端MOS FET、一个低端MOS FET和一个MOS FET驱动器。内置驱动器对功率MOS FET的导通和关断时序进行了优化，使该器件适用于大电流降压转换器。该芯片还集成了一个高端自举开关，无需为此目的使用外部SBD。
商品特性
- 基于英特尔6×6 DrMOS规范。
- 内置适用于台式机、服务器应用的功率MOS FET。
- 带有内置SBD的低端MOS FET，可降低损耗并减少振铃。
- 内置与功率MOS FET匹配的驱动电路。
- 内置三态输入功能，可支持多种PWM控制器。
- 可进行高频操作（高于1 MHz）。
- VIN工作电压范围：最大20 V。
- 平均输出电流大（最大40 A）。
- 实现低功耗。
- 可控驱动器：远程开/关。
- 支持中压PWM信号进入零电流检测。
- 双重热保护：热警告和热关断。
- 内置自举开关。
- 小封装：QFN40（6 mm×6 mm×0.95 mm）。
- 引脚无铅/无卤。
应用领域
台式机/服务器应用