2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06M是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）出现高达 -11 VDC的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，最高工作电压可达650 V。

• 英飞凌独特的薄膜绝缘体上硅（SOI）技术
• 100 μs的负VS瞬态抗扰度
• 为自举操作设计的浮动通道，工作电压（VS节点）最高可达 + 650 V
• 最高自举电压（VB节点）为 + 675 V
• 集成超快速、低电阻自举二极管
• VS引脚逻辑工作电压最低可达 –11 V
• 输入负电压容差为 -5 V
• 两个通道均具备独立的欠压锁定功能
• 施密特触发器输入，迟滞为3.3 V、5 V和15 V，与输入逻辑兼容
• 最高电源电压为25 V
• 关断输入可关闭两个通道
• DSO - 16封装
• 逻辑地和功率地分开
• 符合RoHS标准

• 在各种电力电子应用中驱动IGBT、增强型N沟道MOSFET
• 驱动采用TRENCHSTOP IGBT6或600 V EasyPACK模块的电机驱动器、通用逆变器
• 驱动采用RCD系列IGBT、TRENCHSTOP系列IGBT或等效功率级的制冷压缩机、电磁炉及其他主要家用电器
• 驱动采用低压OptiMOS MOSFET或等效功率级的电池供电小型家用电器，如电动工具、吸尘器
• 用于工业开关电源（SMPS）的离线AC - DC电源中的图腾柱、半桥和全桥转换器，采用高压CoolMOS超结MOSFET或TRENCHSTOP H3和WR5 IGBT系列
• 采用CoolMOS超结MOSFET的高功率LED和HID照明
• 电动汽车（EV）充电站和电池管理系统
• 在上述应用中驱动650 V SiC MOSFET